[实用新型]IGBT芯片的过流检测保护电路有效
| 申请号： | 201820141342.9 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN207817058U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 董志意;姜梅;相春蕾;赵鹏;赵学敏 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/25 | 分类号： | G01R19/25;G01R31/26;H02H3/087;H02H7/20 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT芯片的过流检测保护电路，属于IGBT芯片过流检测的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述IGBT芯片的过流检测保护电路，包括IGBT芯片，调节所述IGBT芯片发射极的形状，以使得IGBT芯片的发射极能等效为电阻Re与电感Le串联的等效电路；将上述IGBT芯片的发射极与用于采集流过IGBT芯片发射极电流的采样电路连接，所述采样电路与用于判断电流状态的控制电路连接，所述控制电路通过用于驱动IGBT芯片的脉冲驱动电路与IGBT芯片连接。本实用新型结构紧凑，能高效动态地实现IGBT芯片的过流检测，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 过流检测 本实用新型 发射极 电路 采样电路 控制电路 电感 脉冲驱动电路 发射极电流 等效电路 电流状态 高效动态 电阻 串联 采集 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片的过流检测保护电路，包括IGBT芯片(1)，其特征是：调节所述IGBT芯片(1)发射极(8)的形状，以使得IGBT芯片(1)的发射极(8)能等效为电阻Re与电感Le串联的等效电路；将上述IGBT芯片(1)的发射极(8)与用于采集流过IGBT芯片(1)发射极(8)电流的采样电路(2)连接，所述采样电路(2)与用于判断电流状态的控制电路(3)连接，所述控制电路(3)通过用于驱动IGBT芯片(1)的脉冲驱动电路(4)与IGBT芯片(1)连接。
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