[实用新型]IGBT芯片的过流检测保护电路

说明书

本实用新型涉及一种IGBT芯片的过流检测保护电路，属于IGBT芯片过流检测的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述IGBT芯片的过流检测保护电路，包括IGBT芯片，调节所述IGBT芯片发射极的形状，以使得IGBT芯片的发射极能等效为电阻Re与电感Le串联的等效电路；将上述IGBT芯片的发射极与用于采集流过IGBT芯片发射极电流的采样电路连接，所述采样电路与用于判断电流状态的控制电路连接，所述控制电路通过用于驱动IGBT芯片的脉冲驱动电路与IGBT芯片连接。本实用新型结构紧凑，能高效动态地实现IGBT芯片的过流检测，安全可靠。

技术领域

本实用新型涉及一种检测电路，尤其是一种IGBT芯片的过流检测保护电路，属于IGBT芯片过流检测的技术领域。

背景技术

当前市场上IGBT及FRD的单管使用越来越频繁，在大部分应用中，一直都是采用电流互感器或电流传感器对IGBT器件进行过流检测，这个过程周期长、响应慢、问题多，当出现过流时器件会因这些因素可能导致器件因过流而失效，为了保证IGBT单管的使用效率，必须采用一种快捷、方便、响应速度快的过流电路来保护IGBT器件，甚至保护整个系统的正常运行。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种IGBT芯片的过流检测保护电路，其结构紧凑，能高效动态地实现IGBT芯片的过流检测，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述IGBT芯片的过流检测保护电路，包括IGBT芯片，调节所述IGBT芯片发射极的形状，以使得IGBT芯片的发射极能等效为电阻Re与电感Le串联的等效电路；

将上述IGBT芯片的发射极与用于采集流过IGBT芯片发射极电流的采样电路连接，所述采样电路与用于判断电流状态的控制电路连接，所述控制电路通过用于驱动IGBT芯片的脉冲驱动电路与IGBT芯片连接。

所述IGBT芯片的发射极的形状包括电感状，IGBT芯片的发射极的形状改变后，等效电阻Re小于0.01欧姆，等效电感Le的不大于5nH。

所述采样电路包括等效电路的一端连接的电源VDC1，等效电路的另一端与电阻R1的一端以及运算放大器U1的同相端连接，运算放大器U1的反相端与运算放大器U1的输出端以及电阻R2的一端连接，电阻R1的另一端接地；

电阻R2的另一端与电容C1的一端以及运算放大器U2的反相端连接，运算放大器U2的同相端接地，电容C1的另一端与通过电阻R3与控制电路连接。

本实用新型的优点：调节所述IGBT芯片发射极的形状，以使得IGBT芯片1的发射极能等效为电阻Re与电感Le串联的等效电路；通过采样电路能采集流过发射极的电流，并将采样电流传输至控制电路内，控制电路根据采样电流的大小判断是否存在过流情况，当存在过流时，通过脉冲驱动电路关断IGBT芯片，从而能高效动态地实现IGBT芯片的过流检测，达到对IGBT芯片的有效保护，安全可靠。

附图说明

图1为本实用新型的结构框图。

图2为本实用新型IGBT芯片的示意图。

图3为本实用新型IGBT芯片的发射极的形状示意图。

图4为本实用新型采样电路的电路原理图。

附图标记说明：1-IGBT芯片、2-采样电路、3-控制电路、4-脉冲驱动电路、5-芯片主体、6-门极、7-集电极以及8-发射极。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。