[实用新型]原位激光刻划装置有效

专利信息
申请号: 201820129362.4 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN208132211U 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 白雨成;全义九;李相文;张昌泳;丁钟国;边娜恩 申请(专利权)人: 株式会社SELCOS;胜显(上海)商贸有限公司
主分类号: B23K26/362 分类号: B23K26/362;B23K26/70;H01L31/18
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 庄文莉
地址: 韩国京畿道华城*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 实用新型提供了一种原位激光刻划装置,包括:为制备薄膜太阳能电池,放置基板的真空腔;及设置在所述真空腔的外部,利用激光对所述真空腔内放置的基板进行刻划的激光刻划装置。本实用新型提供的原位激光刻划装置在制造铜‑铟‑镓‑硒(Cu‑In‑Ga‑Se)太阳能电池单元时,对于电池单元制造工艺步骤中的P1(背电极:Mo)、P2(光吸收层:CIGS)、P3(透明导电膜:ZnO)工艺,从原来的从真空腔中移出到大气状态下进行加工代替为保持在真空状态下进行加工,节约了流程,提高了生产效率;本实用新型的原位激光刻划装置简化了薄膜太阳能电池制造工艺,缩短了制造时间。
搜索关键词: 激光刻划装置 真空腔 本实用新型 薄膜太阳能电池 制造工艺 基板 太阳能电池单元 透明导电膜 大气状态 电池单元 光吸收层 生产效率 真空状态 背电极 刻划 移出 制备 加工 制造 激光 节约 外部
【主权项】:
1.一种原位激光刻划装置,其特征在于,包括:为制备薄膜太阳能电池,放置基板的真空腔;及设置在所述真空腔的外部,利用激光对所述真空腔内放置的基板进行刻划的激光刻划装置。
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