[实用新型]高压霍尔位置传感器芯片稳压电路有效
申请号: | 201820111768.X | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN207799513U | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 张超;汪坚雄;鞠刘洪;杨莹 | 申请(专利权)人: | 赛卓电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 庄文莉 |
地址: | 200233 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种高压霍尔位置传感器芯片稳压电路,包括:高压晶体管M1,高压晶体管M1的漏极与电源VDD连接;电压基准和增益单元,电压基准和增益单元的输入端与高压晶体管M1的源极连接,电压基准和增益单元的输出端与高压晶体管M1的栅极连接。与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:解决了电机用霍尔位置传感器电源端的耐高压问题,使得传感器芯片的可靠性有了实质性的提高;整体稳压电路结构简单,高压器件少;解决了霍尔传感器低电压正常工作的问题,和一般稳压电路相比具有更低的工作电压。 | ||
搜索关键词: | 高压晶体管 霍尔位置传感器 电压基准 稳压电路 增益单元 本实用新型 电源 芯片 稳压电路结构 传感器芯片 霍尔传感器 高压器件 工作电压 源极连接 栅极连接 低电压 电机用 耐高压 输出端 输入端 漏极 | ||
【主权项】:
1.一种高压霍尔位置传感器芯片稳压电路,其特征在于,包括:高压晶体管M1,所述高压晶体管M1的漏极与电源VDD连接;电压基准和增益单元,所述电压基准和增益单元的输入端与所述高压晶体管M1的源极连接,所述电压基准和增益单元的输出端与所述高压晶体管M1的栅极连接。
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