[实用新型]高压霍尔位置传感器芯片稳压电路

权利要求书

1.一种高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，包括：

高压晶体管M1，所述高压晶体管M1的漏极与电源VDD连接；

电压基准和增益单元，所述电压基准和增益单元的输入端与所述高压晶体管M1的源极连接，所述电压基准和增益单元的输出端与所述高压晶体管M1的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述高压晶体管M1为结型场效应管或耗尽型晶体管。

3.根据权利要求2所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述电压基准和增益单元包括相互连接的电压基准和增益组件及输出极；其中

所述电压基准和增益组件的输入端与所述高压晶体管M1的源极连接，所述输出极与所述高压晶体管M1的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述电压基准和增益组件包括：

三极管Q1，所述三极管Q1的集电极、所述三极管Q1的基极分别与所述高压晶体管M1的源极连接；

电阻R2，所述电阻R2的一端与所述三极管Q1的发射极连接；

三极管组件Q3，所述三极管组件Q3的集电极与所述电阻R2的另一端连接；

电阻R4，所述电阻R4的一端与所述三极管组件Q3的发射极连接，所述电阻R4的另一端接地；

电阻R3，所述电阻R3的一端与所述三极管Q1的发射极连接；

三极管Q2，所述三极管Q2的集电极与所述电阻R3的另一端连接，所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极接地。

5.根据权利要求4所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述输出极包括：

电阻R1，所述电阻R1的一端与所述高压晶体管M1的源极连接，所述电阻R1的另一端与所述高压晶体管M1的栅极连接；

三极管Q4，所述三极管Q4的集电极与所述电阻R1的另一端连接，所述三极管Q4的集电极与所述高压晶体管M1的栅极连接，所述三极管Q4的基极与所述三极管组件Q3的发射极连接，所述三极管Q4的发射极接地。

6.根据权利要求5所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述三极管组件Q3包括一个三极管或多个并联的三极管。

7.根据权利要求6所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述高压霍尔位置传感器芯片稳压电路还包括反馈单元，所述反馈单元的输入端与所述高压晶体管M1的源极连接，所述反馈单元的输出端与所述电压基准和增益组件的输入端连接。

8.根据权利要求7所述的高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，其特征在于，所述反馈单元包括：

电阻R5，所述电阻R5的一端与所述高压晶体管M1的源极连接，所述电阻R5的另一端与所述三极管Q1的基极连接；

电阻R6，所述电阻R6的一端与所述电阻R5的另一端连接，所述电阻R6的一端与所述三极管Q1的基极连接，所述电阻R6的另一端接地。