[实用新型]一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS有效
| 申请号： | 201820105021.3 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN208336236U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 马中发;彭雨程 | 申请（专利权）人： | 西安因变光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS，包括第一掺杂类型的衬底，所述衬底上设有双面电荷槽，所述双面电荷槽的顶部槽内通过离子注入的方式还设有多个第一掺杂类型且掺杂浓度不等的埋层，所述埋层的掺杂浓度按照从靠近漏端到远离漏端的顺序逐渐增高。本实用新型所述一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS通过提高SOI LDMOS的耐压进一步提高了SOI LDMOS的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 埋层 槽型 本实用新型 掺杂类型 衬底 掺杂 击穿电压 漏端 耐压 离子 增高 | ||
【主权项】：
1.一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS，其特征在于，包括衬底(1)、设在衬底(1)上的具有双面电荷槽的埋氧层(2)，所述的埋氧层(2)上设有漂移区(7)，所述的漂移区(7)上一侧设有沟道区(5)和重掺杂漏区(6)，所述的沟道区(5)上设有重掺杂源区(4)和重掺杂区(3)，所述的重掺杂源区(4)的上部与漂移区(7)的上端与绝缘氧化层(11)连接，所述的沟道区(5)上靠近重掺杂漏区(6)一侧的上端与绝缘氧化层(11)连接，所述的绝缘氧化层(11)的一侧设有源极金属区(8)，另一侧设有漏极金属区(10)，所述的重掺杂漏区(6)与漏极金属区(10)连接，所述的重掺杂区(3)和靠近重掺杂区(3)一端的重掺杂源区(4)的上端与源极金属区(8)连接，所述的绝缘氧化层(11)的上设有栅区(9)；所述的埋氧层(2)上端的电荷槽内设有反型电荷埋层(12)，且靠近重掺杂漏区(6)一端到远离重掺杂漏区(6)一端的反型电荷埋层(12)的掺杂浓度依次增高。
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