[实用新型]一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS有效
| 申请号： | 201820105021.3 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN208336236U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 马中发;彭雨程 | 申请（专利权）人： | 西安因变光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 埋层 槽型 本实用新型 掺杂类型 衬底 掺杂 击穿电压 漏端 耐压 离子 增高 | ||
1.一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOI LDMOS，其特征在于，包括衬底(1)、设在衬底(1)上的具有双面电荷槽的埋氧层(2)，所述的埋氧层(2)上设有漂移区(7)，所述的漂移区(7)上一侧设有沟道区(5)和重掺杂漏区(6)，所述的沟道区(5)上设有重掺杂源区(4)和重掺杂区(3)，所述的重掺杂源区(4)的上部与漂移区(7)的上端与绝缘氧化层(11)连接，所述的沟道区(5)上靠近重掺杂漏区(6)一侧的上端与绝缘氧化层(11)连接，所述的绝缘氧化层(11)的一侧设有源极金属区(8)，另一侧设有漏极金属区(10)，所述的重掺杂漏区(6)与漏极金属区(10)连接，所述的重掺杂区(3)和靠近重掺杂区(3)一端的重掺杂源区(4)的上端与源极金属区(8)连接，所述的绝缘氧化层(11)的上设有栅区(9)；
所述的埋氧层(2)上端的电荷槽内设有反型电荷埋层(12)，且靠近重掺杂漏区(6)一端到远离重掺杂漏区(6)一端的反型电荷埋层(12)的掺杂浓度依次增高。
2.根据权利要求1所述的一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOILDMOS，其特征在于，所述的漂移区(7)为具有第二掺杂类型的轻掺杂漂移区，所述的沟道区(5)为具有第一掺杂类型的沟道区，所述的重掺杂漏区(6)为具有第二掺杂类型的重掺杂漏区，所述的重掺杂区(3)为具有第一掺杂类型的重掺杂区，所述的重掺杂源区(4)为具有第二掺杂类型的重掺杂源区，所述衬底(1)具有第一掺杂类型。
3.根据权利要求2所述的一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOILDMOS，其特征在于，所述的反型电荷埋层(12)为通过离子注入形成具有第一掺杂类型的埋层，且反型电荷埋层(12)的第一掺杂类型浓度大于漂移区(7)的第二掺杂类型的浓度。
4.根据权利要求3所述的一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOILDMOS，其特征在于，所述的埋氧层(2)的两侧分别设有4个相互对称的电荷槽，且位于埋氧层(2)上端的4个电荷槽中设有的反型电荷埋层(12)分别为第一埋层(12a)、第二埋层(12b)、第三埋层(12c)和第四埋层(12d)，所述第一埋层(12a)中的掺杂浓度大于第二埋层(12b)的掺杂浓度，所述的第二埋层(12b)的掺杂浓度大于第三埋层(12c)的掺杂浓度，所述的第三埋层(12c)的掺杂浓度大于第四埋层(12d)的掺杂浓度。
5.根据权利要求3所述的一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOILDMOS，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。
6.根据权利要求3所述的一种具有埋层结构的新型双面电荷槽型SOILDMOS，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。
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