[实用新型]一种单向TVS芯片有效
| 申请号： | 201820025609.8 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN207731934U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 保爱林;谢晓东 | 申请（专利权）人： | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种单向TVS芯片，包括均匀掺杂的基片，从所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的杂质而形成的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区，所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二PN结，所述第二PN结上设有短路区和/或短路环；所述单向TVS芯片的两面覆盖有金属层。本实用新型所述的单向TVS芯片，为特殊的N+‑P‑N+（或者P+‑N‑P+）三层、双结结构，包括确定单向TVS电特性的第一PN结以及设有短路区和/或短路环的第二PN结，具有：①更低的钳位电压，②更大的浪涌电流耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质扩散区 本实用新型 短路环 短路区 基片导电类型 均匀掺杂 浪涌电流 钳位电压 电特性 金属层 掺入 三层 双结 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种单向TVS芯片，其特征在于：包括均匀掺杂的基片，通过所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的异型杂质形成与基片导电类型相反的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区。所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二PN结，所述第二PN结上设有短路区和/或短路环；所述第一异型杂质扩散区表面和第二异型杂质扩散区及短路区和/或短路环的表面覆盖有金属层。
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