[实用新型]一种单向TVS芯片有效
| 申请号： | 201820025609.8 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN207731934U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 保爱林;谢晓东 | 申请（专利权）人： | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杂质扩散区 本实用新型 短路环 短路区 基片导电类型 均匀掺杂 浪涌电流 钳位电压 电特性 金属层 掺入 三层 双结 覆盖 | ||
1.一种单向TVS芯片，其特征在于：包括均匀掺杂的基片，通过所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的异型杂质形成与基片导电类型相反的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区。所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二PN结，所述第二PN结上设有短路区和/或短路环；所述第一异型杂质扩散区表面和第二异型杂质扩散区及短路区和/或短路环的表面覆盖有金属层。
2.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第二PN结上设有短路区，短路区为嵌入到第二PN结中的均匀掺杂的基片区域，短路区与短路区以外的第二PN结通过表面金属层互联。
3.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第二PN结的终端设有短路环，所述短路环为与基片有相同导电类型和掺杂浓度的环状短路区。
4.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述短路环为与金属层连为一体的金属环。
5.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第一PN结终端设有钝化层。
6.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述基片表面为研磨面、化学抛光面或机械抛光面。
7.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述基片为P型基片，所述第一异型杂质扩散区为第一N型扩散区，所述第二异型杂质扩散区为第二N型扩散区；或者，所述基片为N型基片，所述第一异型杂质扩散区为第一P型扩散区，所述第二异型杂质扩散区为第二P型扩散区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江明德微电子股份有限公司，未经浙江明德微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820025609.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
