[实用新型]一种半导体金属DEP的异常处理装置

摘要

本实用新型公开了一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽。本实用新型使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。

主权项

1.一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体(1)，其特征在于，所述处理装置主体(1)上设有腔室(2)，所述腔室(2)的底部内壁上固定安装有反应池(3)，所述腔室(2)的顶部内壁上开设有嵌入槽(4)，所述嵌入槽(4)的顶部内壁上固定安装有步进电机(6)，所述步进电机(6)的输出轴上焊接有第一连接轴(7)，所述第一连接轴(7)的底端焊接有转盘(8)，所述转盘(8)的底部一侧开设有第一凹槽(9)，所述第一凹槽(9)的两侧内壁上均焊接有固定块(10)，两个固定块(10)相互靠近的一侧均开设有通槽(11)，且两个通槽(11)内放置有同一个燃烧器(12)，所述燃烧器(12)的两侧均开设有对称设置的活动槽(13)，且活动槽(13)的一侧内壁上固定安装有齿条(14)，所述通槽(11)的两侧内壁上均开设有安装槽(15)，所述安装槽(15)远离安装槽(15)槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机(17)，所述第一驱动电机(17)的输出轴上焊接有第二连接轴(18)，所述第二连接轴(18)远离第一驱动电机(17)的一端延伸至通槽(11)内并焊接有齿轮(19)，且齿轮(19)延伸至活动槽(13)内并与齿条(14)相啮合，所述燃烧器(12)的底部焊接有喷火嘴(20)，所述转盘(8)的底部另一侧开设有第二凹槽(21)，且第二凹槽(21)的顶部内壁上开设有通孔(22)，所述转盘(8)的顶部固定安装有第二驱动电机(23)，所述第二驱动电机(23)的输出轴上焊接有第三连接轴(24)，且第三连接轴(24)的底端贯穿通孔(22)并焊接有推杆电机(25)，所述推杆电机(25)转动安装在第二凹槽(21)内，所述推杆电机(25)的输出轴上焊接有连接杆(26)，且连接杆(26)的底端延伸至腔室(2)内并焊接有圆盘(27)，所述圆盘(27)的底部四周焊接有多个搅拌棒(28)。