[实用新型]一种半导体金属DEP的异常处理装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽。本实用新型使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体金属DEP的异常处理技术领域，尤其涉及一种半导体金属DEP的异常处理装置。

背景技术

金属DEP中有三种常见异常会导致晶片报废：ALCU DEP后超过10MIN没有进冷却箱腔冷却，会导致CU析出，造成金属刻蚀后金属残留，影响金属梳子，窟问题，进而造成报废；TI和ALCU在DEP后不能暴露在空气中，但是有些时候由于设备ALARM等异常原因，导致金属DEP在TI或者ALCU DEP中或者DEP后中断，只能卸载出设备，暴露在空气中，每年都会报废约50～60片晶片；DEP完金属的晶片，如果发现金属膜下或者膜内缺陷OOS，通常也会报废。

针对上述三种常见异常导致的晶片报废，我们提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置，用于解决上述才提出的问题。

实用新型内容

基于背景技术存在的技术问题，本实用新型提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置。

本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽，且两个通槽内放置有同一个燃烧器，所述燃烧器的两侧均开设有对称设置的活动槽，且活动槽的一侧内壁上固定安装有齿条，所述通槽的两侧内壁上均开设有安装槽，所述安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机，所述第一驱动电机的输出轴上焊接有第二连接轴，所述第二连接轴远离第一驱动电机的一端延伸至通槽内并焊接有齿轮，且齿轮延伸至活动槽内并与齿条相啮合，所述燃烧器的底部焊接有喷火嘴，所述转盘的底部另一侧开设有第二凹槽，且第二凹槽的顶部内壁上开设有通孔，所述转盘的顶部固定安装有第二驱动电机，所述第二驱动电机的输出轴上焊接有第三连接轴，且第三连接轴的底端贯穿通孔并焊接有推杆电机，所述推杆电机转动安装在第二凹槽内，所述推杆电机的输出轴上焊接有连接杆，且连接杆的底端延伸至腔室内并焊接有圆盘，所述圆盘的底部四周焊接有多个搅拌棒。

优选的，所述步进电机的顶部焊接有第一固定板，且第一固定板的四角位置均开设有第一螺栓孔，所述第一螺栓孔内螺纹连接有第一螺栓，所述步进电机通过第一螺栓孔和第一螺栓固定安装在嵌入槽的顶部内壁上。

优选的，所述第一驱动电机的一侧焊接有第二固定板，所述第二固定板的四角位置均开设有第二螺栓孔，所述第二螺栓孔内螺纹连接有第二螺栓，所述第一驱动电机通过第二螺栓孔和第二螺栓固定安装在安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上。

优选的，所述腔室为压力腔室，且腔室内的压力比外界压力大。

优选的，所述通孔的内壁上焊接有轴承，且第三连接轴贯穿轴承并与轴承的内圈相焊接。

优选的，所述推杆电机的顶部焊接有弧形滑块，且第二凹槽的顶部内壁上设有环形滑轨，所述弧形滑块与环形滑轨滑动连接。

优选的，所述通槽的内壁上设有密封圈，且燃烧器通过密封圈滑动安装在通槽内。