[实用新型]一种铌酸锂电光调制器芯片有效
| 申请号： | 201820003247.2 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN207752267U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周建伟;夏君磊;刘瑞丹;宁智超;乔建坤;徐玉亮 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种铌酸锂电光调制器芯片，属于铌酸锂电光调制技术领域。本实用新型在调制器芯片行波电极下设计加工一系列盲孔，在降低微波有效折射率，缓解速度失配，增大器件带宽的同时，相比在背面划一条连续长槽的方法又大幅提高了调制器芯片的机械强度，提高抗震、抗冲击性能。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂电光调制器 本实用新型 调制器芯片 芯片 抗冲击性能 有效折射率 铌酸锂电光 调制技术 连续长槽 行波电极 盲孔 失配 抗震 背面 微波 带宽 缓解 加工 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、行波电极(2)和波导(4)；所述的波导(4)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；所述的行波电极(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面；所述的波导(4)位于行波电极(2)之间；所述的铌酸锂衬底(1)的下表面内部开有若干个盲孔(3)。
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