[实用新型]一种铌酸锂电光调制器芯片有效
| 申请号： | 201820003247.2 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN207752267U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周建伟;夏君磊;刘瑞丹;宁智超;乔建坤;徐玉亮 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸锂电光调制器 本实用新型 调制器芯片 芯片 抗冲击性能 有效折射率 铌酸锂电光 调制技术 连续长槽 行波电极 盲孔 失配 抗震 背面 微波 带宽 缓解 加工 | ||
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、行波电极(2)和波导(4)；
所述的波导(4)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；
所述的行波电极(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面；
所述的波导(4)位于行波电极(2)之间；
所述的铌酸锂衬底(1)的下表面内部开有若干个盲孔(3)。
2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的个盲孔(3)的形状为圆形或方形。
3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的若干个盲孔(3)的中心点的连线，且连线为直线，该直线与行波电极(2)的方向一致。
4.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的波导(4)为马赫-泽德干涉光路。
5.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(2)为共面波导结构。
6.根据权利要求5所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(2)由3个金属条构成。
7.根据权利要求6所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(2)中心的金属条为信号电极，所述的行波电极(2)两侧的金属条为地电极。
8.根据权利要求4所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的波导4马赫-泽德干涉光路的两臂位于行波电极2之间。
9.根据权利要求5所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(2)的厚度为20微米，中心电极宽度11微米，电极间隙18微米。
10.根据权利要求5所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的铌酸锂衬底(1)的下表面内部开有4个盲孔(3)；盲孔(3)为圆孔，半径150微米，间距500微米，孔底距铌酸锂衬底(1)上表面7微米。
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