[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811654324.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109742229A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军;杨腾智;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结沿所述自旋轨道耦合层中的电流方向一侧中存在有缺陷，该缺陷由离子注入产生。这样，由于磁阻隧道结一侧存在局部的非均匀的缺陷分布，从而在垂直于电流源方向上形成横向不对称的磁阻隧道结结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻隧道结 自旋轨道耦合 磁阻式随机存储器 自旋 电流源方向 磁性层磁 电流方向 缺陷分布 不对称 非均匀 翻转 轨道 离子 制造 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，其特征在于，包括：自旋轨道耦合层；位于所述自旋轨道耦合层之上的磁阻隧道结，所述磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、遂穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性；其中，沿所述自旋轨道耦合层中的电流方向一侧的磁阻隧道结中存在缺陷，所述缺陷由离子注入产生。
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