[发明专利]一种硅片表面氧化系统及方法在审
| 申请号： | 201811641159.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109698256A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 邵玉林;陶俊;石烨炜;陈磊 | 申请（专利权）人： | 无锡琨圣科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片表面氧化系统和方法，包括臭氧发生器，水槽，循环泵，浓度检测装置，气液混合器和冷却装置，所述臭氧发生器与气液混合器连通，气液混合器分别与水槽和冷却装置连通，硅片设置在水槽中，气液混合器、水槽和冷却装置之间形成臭氧水循环通道，浓度检测装置和循环泵设置在臭氧水循环通道中。本发明的一种硅片表面氧化系统和方法能够提高臭氧氧化水平和氧化均匀性，有利于改善氧化层的界面钝化效果，提高电池效率；可以根据实际的情况，通过调整水中的臭氧浓度、硅片在臭氧水中的时间，来调整氧化硅的厚度，便于控制氧化硅的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 水槽 气液混合器 硅片表面 冷却装置 氧化系统 臭氧 浓度检测装置 臭氧发生器 水循环通道 循环泵 氧化硅 硅片 连通 氧化均匀性 臭氧氧化 电池效率 界面钝化 臭氧水 氧化层 | ||
【主权项】：
1.一种硅片表面氧化系统，其特征在于，包括臭氧发生器，水槽，循环泵，浓度检测装置，气液混合器和冷却装置，所述臭氧发生器与气液混合器连通，气液混合器分别与水槽和冷却装置连通，硅片设置在水槽中，气液混合器、水槽和冷却装置之间形成臭氧水循环通道，浓度检测装置和循环泵设置在臭氧水循环通道中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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