[发明专利]一种硅片表面氧化系统及方法

权利要求书

1.一种硅片表面氧化系统，其特征在于，包括臭氧发生器，水槽，循环泵，浓度检测装置，气液混合器和冷却装置，所述臭氧发生器与气液混合器连通，气液混合器分别与水槽和冷却装置连通，硅片设置在水槽中，气液混合器、水槽和冷却装置之间形成臭氧水循环通道，浓度检测装置和循环泵设置在臭氧水循环通道中。

2.根据权利要求1所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，所述水槽与循环泵连通，循环泵与冷却装置连通。

3.根据权利要求2所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，所述浓度检测装置设置在冷却装置和循环泵之间。

4.根据权利要求1所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，硅片表面氧化系统中的连接管道为316不锈钢或PFA材料。

5.根据权利要求1所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，硅片表面氧化系统包括换热器，换热器设置在气液混合器和水槽之间。

6.根据权利要求1所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，臭氧发生器为高压放电式的臭氧发生器，臭氧发生器的气体接触部件为板式陶瓷。

7.根据权利要求1所述的硅片表面氧化系统，其特征在于，硅片表面氧化系统包括臭氧破除器，臭氧破除器与气液混合器连通。

8.一种硅片表面氧化方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100）臭氧气体通过气液混合器把臭氧混合到水中形成臭氧水，同时检测臭氧浓度，确保臭氧浓度维持在设定的浓度范围；

S200）把待氧化的硅片放入臭氧水槽中，使用循环泵使得臭氧水在气液混合器、水槽、冷却装置之间循环；

S300）调整水中的臭氧浓度来调整氧化硅的厚度。

9.根据权利要求8所述的硅片表面氧化方法，其特征在于，所述气液混合器和水槽之间设有换热器，用于控制水槽温度。

10.根据权利要求9所述的硅片表面氧化方法，其特征在于，臭氧水的浓度为0-50ppm。