[发明专利]石墨烯量子点薄膜的制备方法和发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811638395.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384267B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 苏亮 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种石墨烯量子点薄膜的制备方法和发光二极管及其制备方法。该石墨烯量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液与处理剂混合处理，所述处理剂为氧化剂或还原剂，处理时间为10s～1h，得到掺杂石墨烯量子点溶液，将所述掺杂石墨烯量子点溶液成膜得到掺杂石墨烯量子点薄膜；或者，提供石墨烯量子点溶液，将所述石墨烯量子点溶液沉积在基底上，进行干燥处理，得到石墨烯量子点薄膜，采用处理剂处理所述石墨烯量子点薄膜，所述处理剂为氧化剂或还原剂，处理时间为10s～1h，得到掺杂石墨烯量子点薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 量子 薄膜 制备 方法 发光二极管 及其 | ||
【主权项】：
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