[发明专利]石墨烯量子点薄膜的制备方法和发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种p型掺杂石墨烯量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供石墨烯量子点平面尺寸为2-30nm的石墨烯量子点溶液，将所述石墨烯量子点溶液与处理剂混合处理，所述处理剂为氧化剂，处理时间为10s～1h，得到p型掺杂石墨烯量子点溶液，将所述p型掺杂石墨烯量子点溶液成膜得到所述p型掺杂石墨烯量子点薄膜；或者，

提供石墨烯量子点平面尺寸为2-30nm的石墨烯量子点溶液，将所述石墨烯量子点溶液沉积在基底上，进行干燥处理，得到石墨烯量子点薄膜，采用处理剂处理所述石墨烯量子点薄膜，所述处理剂为氧化剂，处理时间为10s～1h，得到所述p型掺杂石墨烯量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化剂选自高氯酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、溴酸盐、过氧化钠、氯化金、高溴酸、高铁酸、硝酸和浓硫酸中的至少一种。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化剂为高铁酸，所述处理时间为1-10分钟。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯量子点溶液中的石墨烯量子点浓度为2-15mg/ml；和/或，

所述干燥处理的温度为50-100℃；和/或，

所述干燥处理的时间为0.5-2h。

5.一种n型掺杂石墨烯量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供石墨烯量子点平面尺寸为40-100nm的石墨烯量子点溶液，将所述石墨烯量子点溶液与处理剂混合处理，所述处理剂为还原剂，处理时间为10s～1h，得到n型掺杂石墨烯量子点溶液，将所述n型掺杂石墨烯量子点溶液成膜得到所述n型掺杂石墨烯量子点薄膜；或者，

提供石墨烯量子点平面尺寸为40-100nm的石墨烯量子点溶液，将所述石墨烯量子点溶液沉积在基底上，进行干燥处理，得到石墨烯量子点薄膜，采用处理剂处理所述石墨烯量子点薄膜，所述处理剂为还原剂，处理时间为10s～1h，得到所述n型掺杂石墨烯量子点薄膜。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述还原剂选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钡、氢氧化钙和氢氧化镁中的至少一种。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述还原剂为氢氧化钾，所述处理时间为1-10分钟。

8.如权利要求5-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯量子点溶液中的石墨烯量子点浓度为2-15mg/ml；和/或，

所述干燥处理的温度为50-100℃；和/或，

所述干燥处理的时间为0.5-2h。

9.一种发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，其特征在于，所述阳极和所述发光层之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层为权利要求1-4任一项所述的p型掺杂石墨烯量子点薄膜的制备方法得到的p型掺杂石墨烯量子点薄膜；和/或，

所述阴极与所述发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层为权利要求5-8任一项所述的n型掺杂石墨烯量子点薄膜的制备方法得到的n型掺杂石墨烯量子点薄膜。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述阳极和所述发光层之间设置的空穴传输层为所述p型掺杂石墨烯量子点薄膜，且所述发光层的材料选自CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、CsPbBr和CuInS中的至少一种，或选自DCJT、Ir(piq)₃、Ir(ppy)₃、Ir(mppy)₃、MEH-PPV和SY-PPV中的至少一种；或者，

所述阴极与所述发光层之间设置的电子传输层为所述n型掺杂石墨烯量子点薄膜，且所述发光层的材料选自CdSe/CdS/ZnS、CdSe@ZnS、CuInS、InP/ZnS和CsPbBr中的至少一种。