[发明专利]一种半导体器件及其密封腔体制造工艺和图案转移版有效
| 申请号： | 201811635381.5 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109748235B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 邹波;郭梅寒 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其密封腔体制造工艺和图案转移版，所述半导体器件的密封腔体制造工艺包括第一晶片、第二晶片和密封层，所述第一晶片和所述第二晶片通过所述密封层作为中间层进行键合，所述第一晶片包括第一空腔和第二空腔，从而在两晶片键合完成后相应地形成了第一密封腔和第二密封腔；在所述两晶片键合前，所述密封层环绕所述第二空腔的部分区域具有开口，在所述两晶片键合过程中，所述开口减小直至闭合。本发明的制造工艺极大简化了现有工艺流程，无需额外材料，节省了材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 密封 体制 工艺 图案 转移 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的密封腔体制造工艺，其特征在于，包括第一晶片、第二晶片和密封层，所述第一晶片和所述第二晶片通过所述密封层作为中间层进行键合，所述第一晶片包括第一空腔和第二空腔，从而在两晶片键合完成后相应地形成了第一密封腔和第二密封腔；在所述两晶片键合前，所述密封层环绕所述第二空腔的部分区域具有开口，在所述两晶片键合过程中，所述开口减小直至闭合。
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