[发明专利]一种半导体器件及其密封腔体制造工艺和图案转移版

权利要求书

1.一种半导体器件的密封腔体制造工艺，其特征在于，包括第一晶片、第二晶片和密封层，所述第一晶片和所述第二晶片通过所述密封层作为中间层进行键合，所述第一晶片包括第一空腔和第二空腔，从而在两晶片键合完成后相应地形成了第一密封腔和第二密封腔；所述密封层采用单一材料；在所述两晶片键合前，所述密封层被设置在所述第一晶片或所述第二晶片上，所述密封层环绕所述第二空腔的部分区域具有开口，在所述两晶片键合过程中，所述开口减小直至闭合；所述开口的减小是通过所述密封层在键合过程中的熔融或软化状态，配合施加外力实现的；所述密封层在所述开口处的线条宽度沿所述开口的闭合方向依次减小；所述密封层采用光刻/刻蚀工艺或丝网印刷工艺形成。

2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述两晶片键合包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段实施于第一气压环境，所述第二阶段实施于第二气压环境，在所述第一阶段完成后形成所述第一密封腔且所述开口未闭合，在所述第二阶段完成后所述开口闭合，从而形成所述第二密封腔。

3.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述第一气压环境和所述第二气压环境所使用的工艺气体不同。

4.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述第二晶片包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽与所述第一空腔配合以形成所述第一密封腔，所述第二沟槽与所述第二空腔配合以形成所述第二密封腔。

5.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述密封层的材料包括玻璃浆料、Al、Pt、Au或Ni。

6.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述第二晶片包括MEMS元件，所述MEMS元件被密封在所述第一密封腔和/或所述第二密封腔中。

7.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述开口的宽度范围是0.5um~5um。

8.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述第一晶片或所述第二晶片是由已键合的两晶片组成的复合结构。

9.一种半导体器件的密封腔体制造工艺，其特征在于，包括第一晶片、第二晶片和密封层，所述第一晶片和所述第二晶片通过所述密封层作为中间层进行键合，所述第一晶片包括第1空腔、第2空腔、第3空腔……第n空腔，从而在两晶片键合完成后相应地形成了第1密封腔、第2密封腔、第3密封腔……第n密封腔，n是大于2的自然数；所述密封层采用单一材料；在所述两晶片键合前，所述密封层被设置在所述第一晶片或所述第二晶片上，所述密封层环绕所述第2密封腔、所述第3密封腔……所述第n密封腔的部分区域分别具有第1开口、第2开口……第n-1开口，所述第1开口、所述第2开口……所述第n-1开口的宽度依次增加，在所述两晶片键合过程中，所述第1开口、所述第2开口……所述第n-1开口减小直至闭合；所述第1开口、所述第2开口……所述第n-1开口的减小是通过所述密封层在键合过程中的熔融或软化状态，配合施加外力实现的；所述密封层在各开口处的线条宽度沿相应开口的闭合方向依次减小；所述密封层采用光刻/刻蚀工艺或丝网印刷工艺形成。

10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的密封腔体制造工艺。

11.一种图案转移版，用于晶片键合工艺中密封层的图案化，晶片通过所述密封层作为中间层进行键合，其特征在于，包括开环图案，所述开环图案用于限定晶片键合后所形成的至少一个密封腔，所述开环图案的开口处的线条宽度沿所述开口的闭合方向依次减小。