[发明专利]延长腔面光源VCSEL及其应用在审
| 申请号： | 201811633021.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109412019A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;谭少阳;赵智德;荣宇峰;廖新胜 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种延长腔面光源VCSEL及其应用，其中，延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，上DBR结构与下DBR结构之间形成延长腔面光源VCSEL的谐振腔，上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，下DBR结构与外延片之间还设置有第二介质薄膜。本发明通过介质薄膜增加半导体激光器谐振腔腔长，进而改变激光器的模式，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 面光源 延长腔 介质薄膜 依次层叠 衬底层 外延层 谐振腔 源层 半导体激光器 低阶模光束 光束发散角 高阶模 激光器 外延片 减小 腔长 应用 带宽 转化 | ||
【主权项】：
1.一种延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；所述P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，所述P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述上DBR结构与下DBR结构之间形成所述延长腔面光源VCSEL的谐振腔，所述上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，所述下DBR结构与所述外延片之间还设置有第二介质薄膜。
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