[发明专利]延长腔面光源VCSEL及其应用在审
| 申请号： | 201811633021.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109412019A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;谭少阳;赵智德;荣宇峰;廖新胜 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面光源 延长腔 介质薄膜 依次层叠 衬底层 外延层 谐振腔 源层 半导体激光器 低阶模光束 光束发散角 高阶模 激光器 外延片 减小 腔长 应用 带宽 转化 | ||
1.一种延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述延长腔面光源VCSEL包括：-N面电极、衬底层、外延层、P面电极；
所述P面电极、外延层、衬底层、-N面电极自上而下依次层叠设置，所述P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，所述上DBR结构与下DBR结构之间形成所述延长腔面光源VCSEL的谐振腔，所述上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，所述下DBR结构与所述外延片之间还设置有第二介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述衬底层为半绝缘的半导体衬底层。
3.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述外延层为高掺杂的半导体外延层。
4.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述P面电极为至少一个，所述P面电极为多个时，多个P面电极以阵列形式排布于所述外延层上。
5.根据权利要求4所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述P面电极为多个时，多个P面电极通过金属电极相连接。
6.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述第一、第二介质薄膜通过蒸镀或外延生长的方式形成于所在的DBR结构上。
7.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述第一、第二介质薄膜为氧化硅薄膜、氧化钛薄膜或者氮化硅薄膜中的一种。
8.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述第一、第二介质薄膜为一层或者多层。
9.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，所述第一、第二介质薄膜的厚度d为λ/4n，其中，λ为激光器中心波长，n为薄膜折射率。
10.根据权利要求4所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于，多个发光芯片以非均匀或均匀阵列方式排布于所述半导体外延层上。适用于单一电极驱动或多电极分块驱动的列阵结构。
11.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于适用于任何波长段，任何半导体材料体系的面发射激光器(VCSEL)。
12.根据权利要求1所述的延长腔面光源VCSEL，其特征在于适用于随机偏振结构，或偏振控制的结构。
13.一种光纤通信系统，其特征在于，所述光纤通信系统包括如权利要求1至2任一项所述的延长腔面光源VCSEL。
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