[发明专利]晶圆缺陷分析系统及分析方法在审
| 申请号： | 201811632372.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109767996A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 冯亚丽 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷分析系统，对晶圆的缺陷进行扫描及分析，包含的组件为：缺陷扫描系统，所述的缺陷扫描系统用于晶圆的缺陷扫描，获取晶圆的缺陷位置分布信息；CP系统，所述CP系统为晶圆自动测试机台，用于获取晶圆的CP测试信息；所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换，将缺陷扫描系统的数据与CP系统的数据进行匹配形成一个相互关联的数据库，可以在只有缺陷扫描信息而没有CP结果时可以预估缺陷的比率，同时，当CP测试显示低良率却没有缺陷扫描结果时可以判断问题发生的工艺区间。利用此系统可以预知缺陷的良率损失，同时当有良率损失时，可以通过此系统反推产线上产生缺陷的工艺，以达到良好监控生产线的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷扫描 晶圆 良率 此系统 缺陷分析系统 机台 预估 监控生产线 测试信息 分布信息 分析系统 晶圆缺陷 缺陷位置 数据交换 自动测试 产线 反推 种晶 匹配 数据库 分析 扫描 关联 测试 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆缺陷分析系统，对晶圆的缺陷进行扫描及分析，其特征在于：包含如下的组件：缺陷扫描系统，所述的缺陷扫描系统用于晶圆的缺陷扫描，获取晶圆的缺陷位置分布信息；CP系统，所述CP系统为晶圆自动测试机台，用于获取晶圆的CP测试信息；所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换，形成动态的联动关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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