[发明专利]晶圆缺陷分析系统及分析方法在审

专利信息
申请号: 201811632372.0 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109767996A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 冯亚丽 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 缺陷扫描 晶圆 良率 此系统 缺陷分析系统 机台 预估 监控生产线 测试信息 分布信息 分析系统 晶圆缺陷 缺陷位置 数据交换 自动测试 产线 反推 种晶 匹配 数据库 分析 扫描 关联 测试
【权利要求书】:

1.一种晶圆缺陷分析系统,对晶圆的缺陷进行扫描及分析,其特征在于:包含如下的组件:

缺陷扫描系统,所述的缺陷扫描系统用于晶圆的缺陷扫描,获取晶圆的缺陷位置分布信息;

CP系统,所述CP系统为晶圆自动测试机台,用于获取晶圆的CP测试信息;

所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换,形成动态的联动关系。

2.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的晶圆的缺陷位置分布信息包含LOT ID、晶圆ID、站点信息、缺陷类型、缺陷数量以及缺陷位置分布信息。

3.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP测试信息包含LOTID、晶圆ID、良率失效Bin代码、良率损失晶粒分布信息以及失效晶粒数目信息。

4.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP系统及缺陷扫描系统,在测试时,具有多个测试项目分站进行,每一站点的每个测试项目均包含有缺陷扫描及CP测试,以获取相应的测试数据。

5.如权利要求1或4所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP系统与缺陷扫描系统进行数据交换,是将每个站点的每种缺陷和由该缺陷导致的CP失效Bin建立一一对应的关系,缺陷数目、分布及良率损失晶粒数目和分布建立一一对应的关系,并将所述的对应关系存储在缺陷扫描系统及CP系统机台内。

6.一种晶圆缺陷分析系统的分析方法,其特征在于:所述的分析系统包含缺陷扫描系统及CP系统;

所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换,形成动态联动关系:每个站点的每种缺陷与由该种缺陷导致的CP失效Bin建立一一对应的关系,缺陷数目、分布及良率损失晶粒数目和分布建立一一对应的关系;将建立的动态联动关系进行存储形成数据库以被查询、调用、匹配;

当所述分析系统检测到缺陷时,向分析系统内输入缺陷站点、缺陷种类,即可获得该种缺陷导致的失效的Bin的信息,以及相应的失效比率。

7.如权利要求6所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述缺陷扫描系统用于获取包含LOT ID、晶圆ID、站点信息、缺陷类型、缺陷数量以及缺陷位置分布的各种信息;所述CP系统用于获取包含LOT ID、晶圆ID、良率失效bin代码、良率损失晶粒分布信息以及失效晶粒数目信息。

8.如权利要求6或7所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的分析系统中,当CP系统检测到低良率情况发生时,向系统输入主要的失效bin分组信息及缺陷分布,分析系统通过匹配数据库中的缺陷信息,迅速找到缺陷发生的站点及缺陷类型。

9.如权利要求6所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的建立联系,是将缺陷在缺陷扫描系统发生的站点以及失效数据,与该缺陷在CP系统中发生的站点以及失效数据进行对比分析,找出其数据的联系。

10.如权利要求9所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的失效数据,包括失效的Bin名称、缺陷的种类、失效晶粒的分布、失效晶粒的数量、失效的比例或者良率信息。

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