[发明专利]晶圆缺陷分析系统及分析方法在审
申请号: | 201811632372.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109767996A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 冯亚丽 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷扫描 晶圆 良率 此系统 缺陷分析系统 机台 预估 监控生产线 测试信息 分布信息 分析系统 晶圆缺陷 缺陷位置 数据交换 自动测试 产线 反推 种晶 匹配 数据库 分析 扫描 关联 测试 | ||
1.一种晶圆缺陷分析系统,对晶圆的缺陷进行扫描及分析,其特征在于:包含如下的组件:
缺陷扫描系统,所述的缺陷扫描系统用于晶圆的缺陷扫描,获取晶圆的缺陷位置分布信息;
CP系统,所述CP系统为晶圆自动测试机台,用于获取晶圆的CP测试信息;
所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换,形成动态的联动关系。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的晶圆的缺陷位置分布信息包含LOT ID、晶圆ID、站点信息、缺陷类型、缺陷数量以及缺陷位置分布信息。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP测试信息包含LOTID、晶圆ID、良率失效Bin代码、良率损失晶粒分布信息以及失效晶粒数目信息。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP系统及缺陷扫描系统,在测试时,具有多个测试项目分站进行,每一站点的每个测试项目均包含有缺陷扫描及CP测试,以获取相应的测试数据。
5.如权利要求1或4所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的CP系统与缺陷扫描系统进行数据交换,是将每个站点的每种缺陷和由该缺陷导致的CP失效Bin建立一一对应的关系,缺陷数目、分布及良率损失晶粒数目和分布建立一一对应的关系,并将所述的对应关系存储在缺陷扫描系统及CP系统机台内。
6.一种晶圆缺陷分析系统的分析方法,其特征在于:所述的分析系统包含缺陷扫描系统及CP系统;
所述缺陷扫描系统和CP系统之间能进行数据交换,形成动态联动关系:每个站点的每种缺陷与由该种缺陷导致的CP失效Bin建立一一对应的关系,缺陷数目、分布及良率损失晶粒数目和分布建立一一对应的关系;将建立的动态联动关系进行存储形成数据库以被查询、调用、匹配;
当所述分析系统检测到缺陷时,向分析系统内输入缺陷站点、缺陷种类,即可获得该种缺陷导致的失效的Bin的信息,以及相应的失效比率。
7.如权利要求6所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述缺陷扫描系统用于获取包含LOT ID、晶圆ID、站点信息、缺陷类型、缺陷数量以及缺陷位置分布的各种信息;所述CP系统用于获取包含LOT ID、晶圆ID、良率失效bin代码、良率损失晶粒分布信息以及失效晶粒数目信息。
8.如权利要求6或7所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的分析系统中,当CP系统检测到低良率情况发生时,向系统输入主要的失效bin分组信息及缺陷分布,分析系统通过匹配数据库中的缺陷信息,迅速找到缺陷发生的站点及缺陷类型。
9.如权利要求6所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的建立联系,是将缺陷在缺陷扫描系统发生的站点以及失效数据,与该缺陷在CP系统中发生的站点以及失效数据进行对比分析,找出其数据的联系。
10.如权利要求9所述的晶圆缺陷分析系统,其特征在于:所述的失效数据,包括失效的Bin名称、缺陷的种类、失效晶粒的分布、失效晶粒的数量、失效的比例或者良率信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造