[发明专利]半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路及其控制方法有效
| 申请号： | 201811631905.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727898B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 袁鹏华;沈超;李佳俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，半导体干法刻蚀机台的真空传送模组通过管路接干式泵进气端；缓冲腔接在干式泵进气端到氦隔离阀后端之间的管路上；氦前级阀接在缓冲腔到氦隔离阀后端之间的管路上；氦后级阀接在缓冲腔到干式泵进气端之间的管路上；氦压力计接在氦进气端到氦隔离阀后端之间的管路上；氦供应阀接在氦压力计到氦进气端之间的管路上；氦隔离阀前端通过管路接静电吸附盘。本发明还公开了所述半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路的控制方法。本发明能够避免工艺反应生成物通过氦气通路接触到晶圆制品表面，减少晶圆的缺陷，提高制程稳定性，延长腔体维护周期，增加车间产能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 机台 传输 腔体抽 真空 管路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，半导体干法刻蚀机台的真空传送模组通过管路接干式泵(1)进气端；缓冲腔(2)接在干式泵(1)进气端到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；氦前级阀(V2)接在缓冲腔(2)到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；氦后级阀V4接在缓冲腔(2)到干式泵(1)进气端之间的管路上；氦压力计(3)接在氦进气端到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；氦供应阀(V3)接在氦压力计(3)到氦进气端之间的管路上；氦隔离阀(V1)前端通过管路接静电吸附盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
