[发明专利]半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路及其控制方法有效
| 申请号： | 201811631905.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727898B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 袁鹏华;沈超;李佳俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 机台 传输 腔体抽 真空 管路 及其 控制 方法 | ||
1.一种半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，半导体干法刻蚀机台的真空传送模组通过管路接干式泵(1)进气端；
缓冲腔(2)接在干式泵(1)进气端到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；
氦前级阀(V2)接在缓冲腔(2)到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；
氦后级阀V4接在缓冲腔(2)到干式泵(1)进气端之间的管路上；
氦压力计(3)接在氦进气端到氦隔离阀(V1)后端之间的管路上；
氦供应阀(V3)接在氦压力计(3)到氦进气端之间的管路上；
氦隔离阀(V1)前端通过管路接静电吸附盘。
2.根据权利要求1所述的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，真空传送模组腔体的压强在85毫托到95毫托。
3.根据权利要求1所述的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，所述缓冲腔(2)的体积是9.5升到10升。
4.根据权利要求1所述的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，
氦供应阀(V3)到氦压力计(3)之间的管路上还设置有过滤器(4)。
5.根据权利要求1所述的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，真空传送模组到干式泵进气端的管路上设置有工作阀(V5)。
6.根据权利要求1所述的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路，其特征在于，所述干式泵(1)安装于大气传送模组位置。
7.根据权利要求1到6任一项的半导体干法刻蚀机台传输腔体抽真空管路的控制方法，其特征在于，
干式泵(1)将真空传送模组及真空传送模组和大气传送模组的中转站抽真空，维持压力在85毫托到95毫托的传输工作压强；
在传输等待时，氦后级阀(V4)维持打开，使用干式泵把缓冲腔(2)抽真空到85毫托到95毫托；
除静电时，氦供应阀(V3)和氦后级阀(V4)关闭，氦隔离阀(V1)和氦前级阀(V2)打开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811631905.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缺陷监控分析系统及方法
- 下一篇：基板载体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
