[发明专利]晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法在审
| 申请号： | 201811629014.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384016A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈浩 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 姚锦程 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明的晶圆凸块可以防止第一金属层氧化。本发明的晶圆凸块的制造方法，工艺简单，制得的晶圆凸块抗氧化性高，且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆凸块 制造 方法 | ||
【主权项】：
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