[发明专利]晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法

说明书

本发明提供了一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明的晶圆凸块可以防止第一金属层氧化。本发明的晶圆凸块的制造方法，工艺简单，制得的晶圆凸块抗氧化性高，且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。

技术领域

本发明涉及一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，以解决现有晶圆凸块上金属层容易氧化的问题以及因为存在不同金属而产生贾凡尼效应的问题。

背景技术

现有的晶圆凸块上金属暴露，容易发生氧化，进而影响产品特性。另外又因为晶圆凸块上设有不同的金属层，不同的金属由于电位差的缘故，通过介质产生了电流，继而产生了电化学反应，使得部分金属被氧化，也就是产生贾凡尼效应，这样会影响产品使用的可靠性。

有鉴于此，有必要对现有的晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，以解决现有晶圆凸块上的金属容易被氧化的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆凸块，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。

作为本发明的进一步改进，所述晶圆凸块还包括保护层，所述保护层的高度高于所述线路层，所述线路层埋设在所述保护层内且自保护层暴露。

作为本发明的进一步改进，所述第一金属层包括相连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分的下方，所述第一部分的底面与所述线路层相抵接，所述第一部分的侧面和所述保护层相抵接，所述第二部分的截面面积大于所述第一部分的截面面积，所述第二部分底面与所述第一部分相连并与所述保护层相抵接，所述第二部分的侧面和所述第一光刻胶相抵接。

作为本发明的进一步改进，所述晶圆凸块还包括位于所述第一金属层和所述保护层以及第一金属层和所述第一光刻胶之间的隔绝层。

作为本发明的进一步改进，所述隔绝层的材料为钛钨铜或者钛铜。

作为本发明的进一步改进，所述第一金属层的材料为铜。

作为本发明的进一步改进，所述第二金属层包括位于下方的镍层和位于上方的金层，所述镍层和金层的厚度均小于第一金属层的厚度。

本发明还提供一种晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块的制造方法包括如下步骤：

S1：提供晶圆基底，所述晶圆基底包括半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层以及保护层，所述保护层的高度高于所述线路层，所述线路层埋设在所述保护层内且自保护层暴露；

S2：在所述保护层的上方均匀涂布第一光刻胶，曝光显影使得自所述保护层暴露的线路层至少部分暴露；

S3：溅镀隔绝层以覆盖第一光刻胶、保护层以及线路层；

S4：在所述第一光刻胶上方均匀涂布第二光刻胶，曝光显影使得自所述第一光刻胶暴露的保护层暴露；

S5：自所述线路层向上电镀第一金属层和第二金属层，使得第一金属层的高度低于所述第一光刻胶；

S6：蚀刻掉第二光刻胶和暴露的隔绝层。