[发明专利]一种TR组件供电的负偏压保护电路有效
| 申请号： | 201811624351.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980600B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 高彧博;徐可荣;程立;李群;谢章贵 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二三研究所 |
| 主分类号： | H02H7/00 | 分类号： | H02H7/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 孟睿 |
| 地址： | 225001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TR组件供电的负偏压保护电路，包括电阻、电容、TVS二极管、场效应晶体管和高速光耦；通过所述电阻、高速光耦的光敏三极管与TVS二极管的串联给场效应晶体管提供维持导通的栅源驱动电压，高速光耦初级发光二极管与电阻串联后连接负偏压，使用场效应晶体管作为控制漏极电压的开关，通过光耦初级发光二极管导通特性完成对负偏压的监测，使用高速光耦控制场效应晶体管的关断完成负偏压故障时对漏极电压的关断。本发明具有可靠性高、响应速度快、电路简单、成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tr 组件 供电 偏压 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种TR组件供电的负偏压保护电路，其特征在于，包括限流电阻(1)、高速光耦(2)、上拉电阻(3)、去耦电容(4)、TVS二极管(5)、场效应晶体管(6)、储能滤波电容(7)、高频滤波电容(8)；所述储能滤波电容(7)并联在TR组件漏极电压与效应晶体管(6)的漏极之间；高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)串联后接在负偏压与电源地之间，其中，发光二极管的阳极与限流电阻(1)连接，发光二极管的阴极连接至负偏压；去耦电容(4)和TVS二极管(5)并联，然后与高速光耦(2)内部次级的光敏三极管以及上拉电阻(3)串联，串联后并入漏极电压和电源地之间，其中，TVS二极管(5)的阴极与光敏三极管的发射极连接，光敏三极管的集电极与上拉电阻(3)一端连接，上拉电阻(3)另一端与漏极电压连接；TVS二极管(5)的阴极接场效应晶体管(6)的栅极，TVS二极管(5)的阳极接场效应晶体管(6)的源极，负载端的高频滤波电容(8)并联在漏极电压与场效应晶体管(6)的漏极之间。
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