[发明专利]一种TR组件供电的负偏压保护电路有效

专利信息
申请号: 201811624351.4 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109980600B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 高彧博;徐可荣;程立;李群;谢章贵 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七二三研究所
主分类号: H02H7/00 分类号: H02H7/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 孟睿
地址: 225001*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 tr 组件 供电 偏压 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种TR组件供电的负偏压保护电路,其特征在于,包括限流电阻(1)、高速光耦(2)、上拉电阻(3)、去耦电容(4)、TVS二极管(5)、场效应晶体管(6)、储能滤波电容(7)、高频滤波电容(8);所述储能滤波电容(7)并联在TR组件漏极电压与场效应晶体管(6)的漏极之间;高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)串联后接在负偏压与电源地之间,其中,发光二极管的阳极与限流电阻(1)连接,发光二极管的阴极连接至负偏压;去耦电容(4)和TVS二极管(5)并联,然后与高速光耦(2)内部次级的光敏三极管以及上拉电阻(3)串联,串联后并入漏极电压和电源地之间,其中,TVS二极管(5)的阴极与光敏三极管的发射极连接,光敏三极管的集电极与上拉电阻(3)一端连接,上拉电阻(3)另一端与漏极电压连接;TVS二极管(5)的阴极接场效应晶体管(6)的栅极,TVS二极管(5)的阳极接场效应晶体管(6)的源极,负载端的高频滤波电容(8)并联在漏极电压与场效应晶体管(6)的漏极之间;所述TR组件为相控阵收发组件。

2.根据权利要求1所述的负偏压保护电路,其特征在于,所述负偏压正常时,负偏压对地在串联的高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)回路中产生电流,高速光耦(2)初级发光二极管发光,次级光敏三极管饱和导通,上拉电阻(3)、高速光耦(2)的光敏三极管与TVS二极管(5)给场效应晶体管(6)提供维持导通的栅源驱动电压,TR组件的漏极电压正常加电。

3.根据权利要求1所述的负偏压保护电路,其特征在于,所述负偏压故障时,负偏压对地在串联的高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)回路中的电流消失,高速光耦(2)初级发光二极管不发光,次级光敏三极管断开,场效应晶体管(6)导通的栅源驱动电压为低电平,关断场效应晶体管(6),完成负偏压异常时的漏极电压自动断电保护。

4.根据权利要求1所述的负偏压保护电路,其特征在于,根据电路的漏极电压值和负偏压值调节限流电阻(1)和上拉电阻(2)的阻值以选择相应的光耦工作电流。

5.根据权利要求1所述的负偏压保护电路,其特征在于,根据不同功率量级的负偏压保护,选择不同饱和导通电阻的场效应晶体管(6)。

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