[发明专利]欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201811622054.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109712877A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周炳;陈雨雁;龙飞;陈明光;郑国源;莫淑一 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法，其中，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本发明的欧姆接触电极。本发明的欧姆接触电极的制备方法采用微波退火的方式处理沉积的金属层，有利于降低GaN欧姆接触电阻的形成温度，并提高了欧姆接触均匀性，改善了GaN功率器件的电性参数以及工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 制备 欧姆接触 欧姆接触电阻 欧姆接触区域 退火 沉积金属层 工作可靠性 电性参数 方式处理 退火处理 微波辐射 源漏区域 金属层 均匀性 光刻 刻蚀 去胶 源漏 沉积 合金 微波 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、在沉积的金属层上进行涂胶，并经曝光、显影后，通过光刻的方式定义金属层的图形；S5、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本发明的欧姆接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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