[发明专利]欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201811622054.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109712877A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周炳;陈雨雁;龙飞;陈明光;郑国源;莫淑一 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 制备 欧姆接触 欧姆接触电阻 欧姆接触区域 退火 沉积金属层 工作可靠性 电性参数 方式处理 退火处理 微波辐射 源漏区域 金属层 均匀性 光刻 刻蚀 去胶 源漏 沉积 合金 微波 剥离 | ||
1.一种欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；
S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；
S3、在源漏区域依次沉积金属层；
S4、在沉积的金属层上进行涂胶，并经曝光、显影后，通过光刻的方式定义金属层的图形；
S5、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本发明的欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至15-20nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及TiW层，或者，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及W层。
4.根据权利要求3所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及TiW层时，所述第一Ti层的厚度为15-25mm，Al层为第一Ti层厚度的6倍，所述第二Ti层的厚度为60nm，所述TiW层的厚度为50nm；
在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及W层时，所述第一Ti层的厚度为15-25mm，Al层为第一Ti层厚度的6倍，所述第二Ti层的厚度为60nm，所述W层的厚度为50nm。
5.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，通过热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射的方式在源漏区域依次沉积金属层。
6.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，采用微波辐射工艺进行合金退火处理时，所述微波退火的温度以20℃/min～50℃/min的速率上升至850-900℃，然后保持30-150s。
7.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，配合微波辐射聚焦装置，进行合金退火处理，并保持微波的输出功率为3500-4000W。
8.一种欧姆接触电极，其特征在于，所述欧姆接触电极通过如权利要求1-7任一项所述的制备方法获得。
9.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括如权利要求8所述的欧姆接触电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
