[发明专利]一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构

摘要

一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构，主要由光电二极管PPD、传输栅TG、浮空扩散节点FD、以及深N_abs层组成；STI为浅沟槽隔离，其作用是将相邻两个像素进行电学隔离，防止串扰现象；该像素结构采用多加一次高能量的N型掺杂注入，可以在外延层中性区形成新的耗尽区，使得中性区的大多数电荷被新形成的耗尽区收集，从而有效的降低中性区扩散暗电流，进一步提高了图像传感器的动态范围和信噪比，大大提高了成像质量。