[发明专利]一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构

权利要求书

1.一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于：主要由光电二极管PPD、传输栅TG、浮空扩散节点FD、以及深N_abs层组成；STI为浅沟槽隔离，其作用是将相邻两个像素进行电学隔离，防止串扰现象；用CMOS工艺制造图像传感器的像素时，首先进行栅前的P+钳位层离子注入，然后进行高能量N型离子的注入，形成位于PPD下方的N_abs吸收层，进而进行栅的形成，最后利用自对准技术进行栅后PPD区域N-型掺杂的离子注入以及FD节点的N+型离子注入，最后形成的具有高能量N_abs层的像素结构；此结构通过在PPD耗尽区1的下方注入一层N型掺杂，从而与外延层形成耗尽区2，耗尽区1和耗尽区2应该分离开，故N_abs层的形成，其离子注入能量较大。