[发明专利]碳化硅晶圆的减薄方法在审
| 申请号： | 201811617560.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109664172A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 卓廷厚;罗求发;柴雅玲 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B49/12;B28D5/00 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳化硅晶圆的减薄方法，包括：将碳化硅晶圆背面划分成安全环区域与激光预加工区域，所述激光预加工区域为面积小于晶圆背面面积的圆形区域，所述安全环区域包围所述激光预加工区域的边缘圆环区域；在所述激光预加工区域进行激光扫描，形成激光凹槽；对具有所述激光凹槽的所述碳化硅晶圆背面进行粗磨，直到磨至第一目标厚度；对所述第一目标厚度的所述碳化硅晶圆背面进行精磨，直到磨至第二目标厚度。所述碳化硅晶圆的减薄方法改善碳化硅晶圆背面减薄过程中的破片问题，改善碳化硅晶圆背面减薄后的表面及亚表面损伤，并减少磨削使用砂轮的损耗量，降低加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶圆背面 减薄 预加工 激光 晶圆 激光凹槽 安全环 砂轮 亚表面损伤 边缘圆环 激光扫描 区域包围 圆形区域 损耗量 粗磨 精磨 磨削 破片 加工 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，包括：将碳化硅晶圆背面划分成安全环区域与激光预加工区域，所述激光预加工区域为面积小于晶圆背面面积的圆形区域，所述安全环区域包围所述激光预加工区域的边缘圆环区域；在所述激光预加工区域进行激光扫描，形成激光凹槽；对具有所述激光凹槽的所述碳化硅晶圆背面进行粗磨，直到磨至第一目标厚度；对所述第一目标厚度的所述碳化硅晶圆背面进行精磨，直到磨至第二目标厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯光润泽科技有限公司，未经厦门芯光润泽科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811617560.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于建筑装修的无尘式墙面打磨机
- 下一篇：一种电器外壳生产打磨装置
