[发明专利]碳化硅晶圆的减薄方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，包括：

将碳化硅晶圆背面划分成安全环区域与激光预加工区域，所述激光预加工区域为面积小于晶圆背面面积的圆形区域，所述安全环区域包围所述激光预加工区域的边缘圆环区域；

在所述激光预加工区域进行激光扫描，形成激光凹槽；

对具有所述激光凹槽的所述碳化硅晶圆背面进行粗磨，直到磨至第一目标厚度；

对所述第一目标厚度的所述碳化硅晶圆背面进行精磨，直到磨至第二目标厚度。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，采用分三步的方式，在所述激光预加工区域进行所述激光扫描；

第一步扫描刻蚀的深度为所述激光凹槽深度的40％～60％；

第二步扫描刻蚀的深度为所述激光凹槽深度的20％～40％；

第三步扫描刻蚀的深度为所述激光凹槽深度的10％～20％；

所述第一步扫描、所述第二步扫描和所述第三步扫描累计加工深度等于所述碳化硅晶圆减薄总厚度的90％～95％。

3.如权利要求2所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述激光扫描采用波长为355nm的紫外激光。

4.如权利要求3所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述激光凹槽的平面图案为相互交错的两组平行直线；相邻两条所述平形直线之间的间距为S，所述激光凹槽的槽深为H，0.2≤S/H≤5。

5.如权利要求4所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述激光扫描的前进速度为5mm/sec～100mm/sec；所采用的激光器中，激光重复频率为10KHz～80KHz，激光功率为0.2watt～1watt，辅助气压为0.3Mpa～0.8Mpa。

6.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述粗磨减薄的厚度与所述精磨减薄的厚度比例为8.5:1～9.5:1。

7.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述粗磨减薄的部分包括激光热影响层。

8.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述第二目标厚度为50μm～120μm之间；在所述碳化硅晶圆磨至所述第二目标厚度后，对所述碳化硅晶圆进行质量检测。

9.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆的直径尺寸在6英寸以上。

10.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的减薄方法，其特征在于，所述安全环区域的最小截断宽度为所述碳化硅晶圆半径长度的2％～5％。