[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811616732.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384144A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨震;赵晓燕;周川淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有漂移区；在所述半导体衬底上形成栅电极材料层，所述栅电极材料层内具有栅极开口；以所述栅电极材料层为掩膜，通过第一离子注入在所述漂移区内形成第二体区，所述第一离子注入的注入方向倾斜于半导体衬底表面法线；以所述栅电极材料层为掩膜，通过第二离子注入在所述第二体区内形成源区，所述第二离子注入的方向平行于半导体衬底表面法线。所述方法形成的半导体器件的导通电阻较小，性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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