[发明专利]一种动态存储器刷新操作下的省电方法和动态存储器有效

专利信息
申请号: 201811616225.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109817257B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 亚历山大;段会福;谈杰 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C16/08
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 赵逸宸
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 为了改善DRAM刷新操作时瞬时功耗的最坏情况,即降低刷新边界segment时的瞬时功耗,本发明提供了一种动态存储器刷新操作下的省电方法和动态存储器。其中,省电方法为:对个bank中的边界行模块地址译码作更改,将这个bank中边界行模块block0对应的逻辑地址更改为这个bank中任意一个非边界行模块blockn对应的逻辑地址;N为动态存储器中bank的数目,且为偶数;n为自然数。
搜索关键词: 一种 动态 存储器 刷新 操作 方法
【主权项】:
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