[发明专利]一种动态存储器刷新操作下的省电方法和动态存储器有效

专利信息
申请号: 201811616225.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109817257B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 亚历山大;段会福;谈杰 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C16/08
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 赵逸宸
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 动态 存储器 刷新 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种动态存储器刷新操作下的省电方法,其特征在于:对个bank中的边界行模块地址译码作更改,将这个bank中边界行模块block0对应的逻辑地址更改为这个bank中任意一个非边界行模块blockn对应的逻辑地址;N为动态存储器中bank的数目,且为偶数;n为自然数;

将边界行模块block0对应的逻辑地址更改为非边界行模块blockn对应的逻辑地址的方法包括:

在所述个bank的信号通路上分别增加反相器,使行地址在进入所述个bank前先通过反相器进行处理;

或者

将边界行模块block0的译码电路与非边界行模块blockn的译码电路互换。

2.一种省电的动态存储器,所述动态存储器包括N个bank;N为偶数;其特征在于:在个bank中边界行模块block0的信号通路上分别增加反相器,以将所述个bank中边界行模块block0对应的逻辑地址更改为所述个bank中任意一个非边界行模块blockn对应的逻辑地址;n为自然数。

3.一种省电的动态存储器,所述动态存储器包括N个bank;N为偶数;其特征在于:将个bank中边界行模块block0的译码电路与非边界行模块blockn的译码电路互换,以将所述个bank中边界行模块block0对应的逻辑地址更改为所述个bank中任意一个非边界行模块blockn对应的逻辑地址;n为自然数。

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