[发明专利]一种C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811614571.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686954A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 许占位;沈学涛;齐珺;陈雪莹;石泽琦;赵怡星;汤曼菁;关伟伟 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种长循环高倍率C‑O‑Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法，以氮甲基吡咯烷酮作为“牺牲剂”促进C‑O‑Mo键的形成，使得单片锥形结构自组装的二硫化钼通过化学键的桥接，从而固定在氮掺杂石墨烯柔性基地上。该方法具有制备工艺简单、周期短、能耗低、重复性好且产率高等特点。利用该方法制备的MoS2/NG的单片锥型结构依托三角形的稳定性这一原理，使得材料具有自支撑的稳定功能；从NMP分子桥接得到的C‑O‑Mo键固定在NG上，在提高材料整体导电性的基础上更加稳固了二硫化钼在石墨烯表面的生长。该复合材料使得钠离子电极具有高容量保持率和优异的倍率性能，即使在5A g‑1的电流密度下，1000次循环后容量仍可达到151mAh g‑1。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 桥接 制备 二硫化钼 负极材料 钠离子 氮甲基吡咯烷酮 氮掺杂石墨烯 化学键 钠离子电极 整体导电性 倍率性能 稳定功能 制备工艺 锥型结构 锥形结构 复合材料 长循环 次循环 分子桥 高倍率 高容量 石墨烯 牺牲剂 自支撑 自组装 产率 能耗 稳固 生长 基地 | ||
【主权项】：
1.一种C‑O‑Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料的制备方法，其特征在于：1)将0.01～0.05g的GO分散到50mL去离子水中得到溶液A；2)将2～3g的H2CNSNH2加入到溶液A中搅拌均匀得溶液B；3)将0.2～0.5g的MoO3加入到溶液B中，搅拌至MoO3完全溶解，得分散体C；4)将2～8ml的NMP溶液缓慢加入到分散体C中搅拌得胶状深蓝色预聚体D；5)在惰性气体保护下，将预聚体D置于磁舟中，放入卧式管式炉中以1～10℃min‑1的升温速率从室温加热至500～800℃保温至管式炉温度达到100℃，关闭惰性气体流，然后冷却至室温，得到产物E；6)将产物E分别用去离子水和乙醇清洗后，冷冻干燥得到C‑O‑Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811614571.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
