[发明专利]一种C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811614571.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686954A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 许占位;沈学涛;齐珺;陈雪莹;石泽琦;赵怡星;汤曼菁;关伟伟 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 桥接 制备 二硫化钼 负极材料 钠离子 氮甲基吡咯烷酮 氮掺杂石墨烯 化学键 钠离子电极 整体导电性 倍率性能 稳定功能 制备工艺 锥型结构 锥形结构 复合材料 长循环 次循环 分子桥 高倍率 高容量 石墨烯 牺牲剂 自支撑 自组装 产率 能耗 稳固 生长 基地 | ||
1.一种C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料的制备方法，其特征在于：
1)将0.01～0.05g的GO分散到50mL去离子水中得到溶液A；
2)将2～3g的H2CNSNH2加入到溶液A中搅拌均匀得溶液B；
3)将0.2～0.5g的MoO3加入到溶液B中，搅拌至MoO3完全溶解，得分散体C；
4)将2～8ml的NMP溶液缓慢加入到分散体C中搅拌得胶状深蓝色预聚体D；
5)在惰性气体保护下，将预聚体D置于磁舟中，放入卧式管式炉中以1～10℃min-1的升温速率从室温加热至500～800℃保温至管式炉温度达到100℃，关闭惰性气体流，然后冷却至室温，得到产物E；
6)将产物E分别用去离子水和乙醇清洗后，冷冻干燥得到C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料。
2.根据权利要求1所述的C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法，其特征在于：所述步骤2)搅拌是在室温下磁力搅拌。
3.根据权利要求1所述的C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法，其特征在于：所述步骤4)搅拌是在100℃下搅拌。
4.根据权利要求1所述的C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法，其特征在于：所述步骤5)的惰性气体采用氩气。
5.根据权利要求1所述的C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料及其制备方法，其特征在于：所述步骤5)的去离子水和乙醇清洗分别清洗3-5次。
6.一种如权利要求1-5中任意一项制备方法制成的C-O-Mo键桥接单片锥形MoS2/NG钠离子负极材料，其特征在于：在N-掺杂的氧化石墨烯基底NG上的单片MoS2自组装成锥形结构且具有50-100nm的孔，在5Ag-1的大电流密度下，该材料在1000次循环后容量为151mAh g-1。
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