[发明专利]一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201811611848.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109609993B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张惠斌;陈轩晗;郑国渠;曹华珍 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C23C8/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米复合结构技术领域，为解决现有技术无法以高效简洁的方法制备氮化钛铌纳米管阵列的问题，本发明提供了一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法。所述方法包括：1)对钛铌合金进行表面处理；2)以经过预处理的钛铌合金作为阳极、石墨作为阴极，置于电解液中在恒电压条件下进行阳极氧化；3)将阳极氧化后的钛铌合金置于空气中进行退火处理；4)将经过退火的钛铌合金置于氨气气氛中进行高温氮化，即得到氮化钛铌纳米管阵列。本发明制备方法简洁高效，生产成本低，通过阳极氧化可制备具有良好形貌特征的纳米管阵列结构，进一步通过氮化处理大幅提高了纳米管阵列的导电性和耐腐蚀性，在多功能电极材料载体方面具有重要应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化钛铌纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)预处理：对钛铌合金进行表面处理；2)阳极氧化：以经过表面处理的钛铌合金作为阳极、石墨作为阴极，置于电解液中在恒电压条件下进行阳极氧化，结束后清洗并干燥；3)退火：将阳极氧化后的钛铌合金置于空气中进行退火处理；4)高温氮化：将经过退火的钛铌合金置于氨气气氛中进行高温氮化，即在钛铌合金表面得到氮化钛铌纳米管阵列。
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