[发明专利]一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法有效
| 申请号： | 201811611452.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109547123B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨万春;周康富 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H04B17/10 | 分类号： | H04B17/10;H04L12/24;H04W24/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411100 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TD‑LTE基站电磁辐射预测方法，该方法根据实际TD‑LTE基站系统的帧结构，得到基站上下行配比中的下行配比，结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数，得到天线端口实际发射功率，从而得到不同预测点位的TD‑LTE基站电磁辐射强度。本发明提出了一种新的TD‑LTE基站电磁辐射预测方法，该方法对TD‑LTE基站电磁辐射预测有着很大的参考价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 td lte 基站 电磁辐射 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TD‑LTE基站电磁辐射预测方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、根据TD‑LTE基站系统的帧结构，得到基站上下行配比中的下行比例A；2)、通过步骤1)得到的下行比例A，并结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数，得到天线端口实际发射功率P，单位为dBm；3)、根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P，得到不同预测点位的TD‑LTE基站电磁辐射强度S，单位为μW/cm2。
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