[发明专利]一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法

权利要求书

1.一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、根据TD-LTE基站系统的帧结构，得到基站上下行配比中的下行比例A：

上式中，A为基站上下行配比中的下行比例，a为下行子帧所占比例，b为特殊子帧所占比例，c为下行导频时隙长度，单位为ms，d为特殊子帧长度，单位为ms；

2)、通过步骤1)得到的下行比例A，并结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数，得到天线端口实际发射功率P：

P＝10×(log₁₀(P₁×A×B×η×n×m)+3)

上式中，P为天线端口实际发射功率，单位为dBm，P₁为单通道发射功率，单位为W，A为基站上下行配比中的下行比例，B为基站系统网络负荷比例，η为智能天线效率，n为基站通道数，单位为个，m为基站载波数，单位为个；

3)、根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P，得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S：

上式中，S为TD-LTE基站电磁辐射强度，单位为μW/cm²，P为天线端口实际发射功率，单位为dBm，G为天线增益，单位为dBi，L为天线系统损耗，单位为dB，r为在天线轴向上测量位置与天线的距离，单位为m。