[发明专利]一种硅片表面激光抛光的方法有效
| 申请号： | 201811605960.5 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109693039B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 管迎春;张震;王海鹏;方志浩 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学;清华大学 |
| 主分类号： | B23K26/352 | 分类号： | B23K26/352;B23K26/60;B23K26/70;B23K101/40;H01L21/02 |
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| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片表面激光抛光的方法，属于半导体材料表面抛光技术领域。该方法首先将硅片进行超声清洗并使用冷风吹干。然后利用激光表面抛光技术，使用设定好的激光扫描工艺路径和激光加工参数对硅片表面进行扫描加工。加工完成后经超声清洗并使用冷风吹干，即得到高精密激光抛光表面。本发明制备方法工艺简单，效率高，灵活可控，具有很好的可重复性，易于实现工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 激光 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片表面激光抛光的方法，其特征在于：步骤一，将待处理的硅片放入去离子水中进行超声清洗，将清洗后的硅片表面使用冷风吹干，得到表面洁净的硅片样品；步骤二，将步骤一中得到的洁净的硅片样品固定在激光加工平台上，设定激光扫描工艺路径和激光器加工参数，采用激光加工系统对硅片表面进行扫描加工；步骤三，将步骤二中得到的激光处理后的硅片样品放入去离子水中进行超声清洗，并使用冷风吹干，得到高精密激光抛光表面。
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