[发明专利]一种硅片表面激光抛光的方法有效
| 申请号： | 201811605960.5 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109693039B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 管迎春;张震;王海鹏;方志浩 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学;清华大学 |
| 主分类号： | B23K26/352 | 分类号： | B23K26/352;B23K26/60;B23K26/70;B23K101/40;H01L21/02 |
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| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 激光 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片表面激光抛光的方法，其特征在于：
步骤一，将待处理的硅片放入去离子水中进行超声清洗，将清洗后的硅片表面使用冷风吹干，得到表面洁净的硅片样品；
步骤二，将步骤一中得到的洁净的硅片样品固定在纳秒激光加工平台上，设定纳秒激光扫描工艺路径和激光器加工参数，采用纳秒激光加工系统对硅片表面进行扫描加工；
步骤三，将步骤二中得到的纳秒激光处理后的硅片样品放入去离子水中进行超声清洗，并使用冷风吹干，得到高精密激光抛光表面；
激光器具体加工参数包括：激光波长为1064nm，脉冲宽度为30ns，功率为40W，重复频率为550kHz，扫描速度为500mm/s，扫描次数为2次。
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