[发明专利]一种快恢复芯片制作方法在审
| 申请号： | 201811605590.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109686666A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 黄小锋 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 范彦扬 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种快恢复芯片制作方法，涉及芯片制作技术领域。通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片，然后对快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度，再对沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，沟槽将扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片，再对腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个快恢复芯片的表面形成欧姆接触，最后依据腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。本发明提供的快恢复芯片制作方法具有切割出的快恢复芯片的反向恢复时间短且相对集中，同时能够达到降低正向压降的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 预设定 恢复 芯片制作 芯片 腐蚀 扩散 切割 磁控溅射沉积 芯片制作技术 表面形成 钝化保护 反向恢复 扩散基板 欧姆接触 正向压降 金属化 预切割 铂层 分隔 清洗 制作 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复芯片制作方法，其特征在于，所述快恢复芯片制作方法包括：通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片；对所述快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，所述预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度；对所述沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，所述沟槽将所述扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片；对所述腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个所述快恢复芯片的表面形成欧姆接触；依据所述腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州星海电子股份有限公司，未经常州星海电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811605590.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
