[发明专利]一种快恢复芯片制作方法

说明书

本发明提供了一种快恢复芯片制作方法，涉及芯片制作技术领域。通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片，然后对快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度，再对沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，沟槽将扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片，再对腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个快恢复芯片的表面形成欧姆接触，最后依据腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。本发明提供的快恢复芯片制作方法具有切割出的快恢复芯片的反向恢复时间短且相对集中，同时能够达到降低正向压降的效果。

技术领域

本发明涉及芯片制作技术领域，具体而言，涉及一种快恢复芯片制作方法。

背景技术

快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

目前国内用传统工艺生产的快恢复芯片普遍存在的问题为正向压降大，封装后二极管的功耗较大，二极管极易烧毁。而应用在大功率电路中的快恢复二极管，对其中芯片的正向压降能力要求尤为苛刻。

有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种快恢复芯片制作方法，以解决现有技术中快恢复芯片的正向压降大的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

本发明实施例提供了一种快恢复芯片制作方法，所述快恢复芯片制作方法包括：

通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片；

对所述快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，所述预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度；

对所述沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，所述沟槽将所述扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片；

对所述腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个所述快恢复芯片的表面形成欧姆接触；

依据所述腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。

相对现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种快恢复芯片制作方法，其中，通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式制作快恢复扩散基片，然后对快恢复扩散基片按照预设定尺寸进行预切割以形成沟槽，其中，预设定的尺寸包括预设定宽度与预设定深度，再对沟槽按照预设定时间进行腐蚀，以形成腐蚀后的沟槽，其中，沟槽将扩散基板分隔成多个相互连接的快恢复芯片，再对腐蚀后的沟槽进行清洗与钝化保护，并通过金属化使每个快恢复芯片的表面形成欧姆接触，最后依据腐蚀后的沟槽进行切割，以形成多个快恢复芯片。由于本发明提供的快恢复芯片制作方法是通过磁控溅射沉积铂层再进行扩散的方式来进行铂扩散的，芯片的反向恢复时间短且相对集中。另外由于本发明提供的快恢复芯片制作方法需要先进行预切割，然后进行腐蚀，因此通过预设定尺寸的沟槽进行腐蚀，能够在更短的时间内达到腐蚀深度，进而对于腐蚀的宽度较小，切割出的快恢复芯片的台面较大。由于快恢复芯片的台面尺寸与正向压降成反比关系，因此通过增大快恢复芯片的台面的方式，能够达到降低正向压降的效果。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明