[发明专利]一种通孔下MTM反熔丝的制备方法在审
| 申请号： | 201811601878.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109727909A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郑若成;王印权;吴素贞;刘佰清;郑良晨;洪根深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡层的表面淀积反熔丝膜层，在所述反熔丝膜层的表面淀积上极板阻挡层；刻蚀所述上极板阻挡层和所述反熔丝膜层；刻蚀所述下极板阻挡层和所述下极板导电层；通过钨塞填充通孔，再进行上极板导电层溅射。本发明基于通孔下反熔丝单元结构，工艺简单，成本低，工艺可靠性高，反熔丝单元编程击穿区域限制在凹槽窗口的台阶处，编程电流密度大，有利于编程后反熔丝单元工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 下极板 阻挡层 通孔 反熔丝膜 导电层 上极板 编程 反熔丝单元 表面淀积 反熔丝 刻蚀 制备 半导体制造技术 反熔丝单元结构 金属间介质层 导电层表面 工艺可靠性 工作可靠性 衬底材料 区域限制 台阶处 淀积 击穿 极板 溅射 钨塞 填充 | ||
【主权项】：
1.一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，首先在衬底材料（1）上依次形成金属间介质层（2）和下极板导电层（3），在所述下极板导电层（3）表面淀积下极板阻挡层（4），其特征在于，还包括如下步骤：在下极板阻挡层（4）上形成凹槽窗口；在形成凹槽窗口的下极板阻挡层（4）的表面淀积反熔丝膜层（5），在所述反熔丝膜层（5）的表面淀积上极板阻挡层（6）；刻蚀所述上极板阻挡层（6）和所述反熔丝膜层（5）；刻蚀所述下极板阻挡层（4）和所述下极板导电层（3）；通过钨塞（7）填充通孔，再进行上极板导电层（8）溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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