[发明专利]一种通孔下MTM反熔丝的制备方法

权利要求书

1.一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，首先在衬底材料（1）上依次形成金属间介质层（2）和下极板导电层（3），在所述下极板导电层（3）表面淀积下极板阻挡层（4），其特征在于，还包括如下步骤：

在下极板阻挡层（4）上形成凹槽窗口；

在形成凹槽窗口的下极板阻挡层（4）的表面淀积反熔丝膜层（5），在所述反熔丝膜层（5）的表面淀积上极板阻挡层（6）；

刻蚀所述上极板阻挡层（6）和所述反熔丝膜层（5）；

刻蚀所述下极板阻挡层（4）和所述下极板导电层（3）；

通过钨塞（7）填充通孔，再进行上极板导电层（8）溅射。

2.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，所述步骤在下极板阻挡层（4）上形成凹槽窗口具体为：通过光刻胶掩模工艺在下极板阻挡层（4）上进行图形刻蚀，采用定时刻蚀，形成凹槽窗口。

3.如权利要求1或2所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，所述凹槽窗口底部的横向宽度尺寸为0.1um~2um，纵向深度尺寸不小于0.01um，纵横比为1:10~1:2，凹槽窗口的底部横向尺寸不大于其顶部横向尺寸，所述凹槽窗口的剖面形貌横向尺寸也不能呈现顶部和底部尺寸小于凹槽中心尺寸的鼓型。

4.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，在形成凹槽窗口的下极板阻挡层（4）的表面淀积反熔丝膜层（5）的方法包括化学气相淀积和物理气相溅射的生长方法；所述反熔丝膜层（5）的厚度为20nm~200nm。

5.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，在进行步骤刻蚀所述上极板阻挡层（6）和所述反熔丝膜层（5）时，刻蚀停止在所述下极板阻挡层（4）上。

6.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，在进行刻蚀所述下极板阻挡层（4）和所述下极板导电层（3）时，刻蚀停止在所述金属间介质层（2）上。

7.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，在通过钨塞（7）填充通孔，再进行上极板导电层（8）溅射之后，通过光刻和刻蚀工艺，形成上极板金属引出，完成通孔下MTM反熔丝的制作。

8.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，所述上极板导电层（8）的形成方法包括物理气相溅射和电镀方法。

9.如权利要求1或8所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，所述上极板导电层（8）的厚度为50nm~300nm，其材质为Al、Si、Cu中的一种或者多种。

10.如权利要求1所述的通孔下MTM反熔丝的制备方法，其特征在于，所述下极板阻挡层（4）和所述上极板阻挡层（6）的材质包括TiN和TiW，厚度为50nm~300nm。